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元件参数资料
>
参数目录43163
> RP1E050RPTR MOSFET P-CH 30V 5A MPT6
型号:
RP1E050RPTR
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 30V 5A MPT6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
RP1E050RPTR PDF
产品目录绘图
MOSFET P-Channel MPT6
特色产品
ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装
1,000
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
50 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
9.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
850pF @ 10V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-SMD,扁平引线
供应商设备封装
MPT6
包装
带卷 (TR)
查看RP1E050RPTR代理商
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